功率放大器可以幫助制備(1~100nm)級的納米薄膜嗎？
納米薄膜材料，是納米材料在二維空間內的應用材料，是納米晶粒在二維平面內按照一定的排列方式粘合，晶粒分子之間的間隙及其小的的薄膜，具有薄層致密和晶粒納米級的特點。目前行業內已經探索出可以應用在表層防護材料、平面顯示器、超導材料、氣體催化材料、過濾器材料、光敏材料、高密度的磁性記錄材料。那么功率放大器可以幫助制備(1~100nm)級的納米薄膜嗎？
首先，我們來聊一聊納米薄膜材料的性質：
1.藍移和寬化
納米顆粒膜，特別是Ⅱ—Ⅵ族半導體CdSxSe1-x。以及Ⅲ-V族半導體CaAs的顆粒膜，都觀察到光吸收帶邊的藍移和帶的寬化現象。有人在CdSxSe1-x／玻璃的顆粒膜上觀察到光的“退色現象”，即在一定波長光的照射下，吸收帶強度發生變化的現象。
2.光的線性與非線性
光學線性效應是指介質在光波場（紅外、可見、紫外以及X射線）作用下，當光強較弱時，介質的電極化強度與光波電場的一次方成正比的現象。
3.電學特性
納米薄膜的電學性質是當前納米材料科學研究中的熱點，這是因為，研究納米薄膜的電學性質，可以搞清導體向絕緣體的轉變，以及絕緣體轉變的尺寸限域效應。我們知道，常規的導體，例如金屬，當尺寸減小到納米數量級時，其電學行為發生很大的變化。有人在Au／Al203的顆粒膜上觀察到電阻反常現象，隨著Au含量的增加（增加納米Au顆粒的數量），電阻不但不減小，反而急劇增加。
4.磁阻效應
材料的電阻值隨磁化狀態變化的現象稱為磁（電）阻效應。對非磁性金屬，其值甚小，在鐵磁金屬與合金中發現有較大的數值。鐵鎳合金磁阻效應可達2％—3％，且為各向異性。顆粒膜的巨磁阻效應與磁性顆粒的直徑呈反比關系，要在顆粒膜體系中顯示出巨磁阻效應，必須使顆粒尺寸及其間距小于電子平均自由程。
那么，功率放大器可以幫助制備(1~100nm)級的納米薄膜嗎？
納米薄膜的制備方法按原理可分為物理方法和化學方法兩大類。粒子束濺射沉積和磁空濺射沉積，以及新近出現的低能團簇束沉積法都屬于物理方法:化學氣相沉積(CVD)、溶膠-凝膠(Sol-Gel)法和電沉積法屬于化學方法。而在制備(1~100nm)級的納米薄膜的過程中功率放大器可以為制備系統提供足夠大的電壓，進行大功率輸出。
帶寬：（-3dB）DC~1MHz
電壓：160Vp-p（±80Vp）
電流：5.65Ap
功率：452Wp
壓擺率：≥356V/μs
可程控
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